Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 30A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017SVRG
od PLN 54,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 230ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
IXTT110N10L2
od PLN 54,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 98ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW P...
IXYS
IXFT320N10T2
od PLN 54,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...
IXYS
IXFT150N20T
od PLN 54,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 155ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 94A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W P...
IXYS
IXFT94N30T
od PLN 54,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
od PLN 54,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 600V; 30A; 540W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W ...
IXYS
IXTT30N60L2
od PLN 54,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M19SVRG
od PLN 54,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCT040H120G3AG
od PLN 53,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRF7779L2 tranzystor 150 V (2 ofert)
Infineon
IRF7779L2TRPBF
od PLN 52,74*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTT10N100D
od PLN 52,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 87A; 182W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 182W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120S
od PLN 51,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
od PLN 51,208*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W P...
IXYS
IXTA1N170DHV
od PLN 50,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 15A; 690W; TO268 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT15N100Q3
od PLN 50,53*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.