Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 838 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W ...
IXYS
IXFA10N60P
od PLN 8,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 600V; 14A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFA14N60P
od PLN 10,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 800V; 7A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,44Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W P...
IXYS
IXFA7N80P
od PLN 8,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 24A; 660W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W ...
IXYS
IXFT24N90P
od PLN 44,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1kV; 30A; Idm: 110A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
IXYS
MMIX1F44N100Q3
od PLN 174,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolarny; 650V; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 650V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie Technologia: SJMOS™ C4...
WAYON
WMF07N65C4
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolarny; 650V; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 650V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie Technologia: SJMOS™ C4...
WAYON
WMF10N65C4
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 100V; 7,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
od PLN 0,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 15A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 2,9A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS05N15B
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 34A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG53G06A
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 44A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Polary...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A
od PLN 4,53*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 56A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42,5W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 7,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,24W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12G06A
od PLN 0,49*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.