Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 893 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
Fotografia
Znak jakości x
marginDiff x
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,7A; Idm: 9,4A; 0,625W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,625W Polar...
Diodes
ZXMN3B01FTA
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 1 757,43*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,9A; 0,5W; SuperSOT-3 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryzacja: un...
onsemi
FDN357N
brak danych
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
od PLN 0,602*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,9A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,118Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Nexperia
PMV90ENER
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,9A; Idm: 7,6A; 350mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Pola...
PanJit Semiconductor
PJC7400_R1_00001
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 0,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 10,5A; Idm: 90A; 2,4W; TO252 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,4W Polar...
Diodes
DMN3010LK3-13
brak danych
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
od PLN 0,832*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 10,8A; Idm: 70A; 2,75W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: PowerDI5060-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 10,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,75...
Diodes
DMN3016LPS-13
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 0,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W ...
Infineon
BSC016N03LSGATMA1
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 3,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSON-CLIP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
Texas Instruments
CSD17576Q5BT
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 3,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 141W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 141W ...
Nexperia
PSMN2R2-30YLC,115
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 2,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8 (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSON-CLIP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195W Pola...
Texas Instruments
CSD17573Q5BT
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 4,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 272W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 272W...
Nexperia
PSMN1R0-30YLC,115
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 4,82*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0503NSIATMA1
brak danych
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
od PLN 1,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W P...
Infineon
BSC034N03LSGATMA1
brak danych
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
od PLN 1,505*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0901NSIATMA1
brak danych
berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W P...
Infineon
BSC025N03LSGATMA1
brak danych
berechnete Marge kleiner
od PLN 2,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   327   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.