Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 872 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Porównanie cen ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
od PLN 53,00*
za szt.
od PLN 53,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024SVRG
od PLN 93,20*
za szt.
od PLN 93,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 30A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017SVRG
od PLN 53,31*
za szt.
od PLN 53,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 32A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5015SVFRG
od PLN 57,49*
za szt.
od PLN 57,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 25A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025SVRG
od PLN 64,89*
za szt.
od PLN 64,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065SVRG
od PLN 55,55*
za szt.
od PLN 55,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 300V; 108A; Idm: 550A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W P...
IXYS
MMIX1F210N30P3
od PLN 152,09*
za szt.
od PLN 152,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 16A; 330W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 330W ...
IXYS
IXFA16N50P3
od PLN 11,07*
za szt.
od PLN 11,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 63A; Idm: 330A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
MMIX1F132N50P3
od PLN 153,80*
za szt.
od PLN 153,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Po...
IXYS
IXFY4N60P3
od PLN 2,90*
za szt.
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 110A; 480W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W ...
IXYS
IXTT110N10P
od PLN 19,32*
za szt.
od PLN 19,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
IXTT140N10P
od PLN 24,51*
za szt.
od PLN 24,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 100V; 75A; 360W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTA75N10P
od PLN 10,34*
za szt.
od PLN 10,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 150V; 120A; 600W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
IXFT120N15P
od PLN 25,20*
za szt.
od PLN 25,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 150V; 62A; 350W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W P...
IXYS
IXTA62N15P
od PLN 10,34*
za szt.
od PLN 10,34*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   325   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.