![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 14 812,416* za 4 800 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,218* za szt. |
|
|
|
Torex Semiconductor XP223N1001TR-G |
od PLN 0,189* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RV2C010UNT2L |
od PLN 0,191* za szt. |
|
|
|
Torex Semiconductor XP151A13A0MR-G |
od PLN 0,95* za szt. |
|
|
|
PanJit Semiconductor PJC7404_R1_00001 |
od PLN 0,38* za szt. |
|
|
|
LUGUANG ELECTRONIC LGE2302 |
od PLN 0,625* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,75* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,394* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,71* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,258* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,73* za szt. |
|
|
|
Infineon BSS806NEH6327XTSA1 |
od PLN 0,29* za szt. |
|
|
|
Infineon BSS806NH6327XTSA1 |
od PLN 0,307* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 2,3A; 1W (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacj... |
|
od PLN 0,45* za szt. |
|
|