Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 55V; 550A; Idm: 2kA (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W P...
IXYS
MMIX1T550N055T2
od PLN 148,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 235A; Idm: 900A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 235A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 680W ...
IXYS
MMIX1F360N15T2
od PLN 147,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 334A; Idm: 1kA (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 334A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 680W ...
IXYS
MMIX1F420N10T
od PLN 147,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 1,5A; Idm: 6A; 250W; 2,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 2,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250...
IXYS
IXTT1N250HV
od PLN 144,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 250V; 132A; Idm: 500A (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 132A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W P...
IXYS
MMIX1F180N25T
od PLN 143,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 200V; 156A; Idm: 630A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 156A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W ...
IXYS
MMIX1F230N20T
od PLN 143,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 300V; 102A; Idm: 440A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 102A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W P...
IXYS
MMIX1F160N30T
od PLN 143,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 141,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 420A; 600W; DE475 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: DE475 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFZ520N075T2
od PLN 138,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070S
od PLN 138,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 65V; 4A; 52,8W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 945MHz Napięcie dren-źródło: 65V Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 30W Moc rozpraszana: 52,...
ST Microelectronics
PD57030S-E
od PLN 129,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
od PLN 129,609*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 1A; 195W; TO268HV; 1,8us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,8µs Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195W Po...
IXYS
IXTT1N300P3HV
od PLN 121,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 550A; 600W; DE475; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: DE475 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Po...
IXYS
IXTZ550N055T2
od PLN 115,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W P...
IXYS
IXTT4N150HV
od PLN 109,53*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.