Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB40P1200LB-TUB
od PLN 950,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 38A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB30P1200LB-TUB
od PLN 615,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; TO268AAHV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268AAHV Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowani...
IXYS
MCB60I1200TZ-TUB
od PLN 463,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25,5A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 98mΩ Typ tranzystora: N-MOS...
IXYS
MCB20P1200LB-TUB
od PLN 267,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,1kV; 24A; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
MMIX1F40N110P
od PLN 193,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 178,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1kV; 30A; Idm: 110A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
IXYS
MMIX1F44N100Q3
od PLN 172,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 65V; 7A; 79W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 945MHz Napięcie dren-źródło: 65V Prąd drenu: 7A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14,3dB Moc wyjściowa: 60W Moc rozpraszana: 7...
ST Microelectronics
PD57060-E
od PLN 163,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1,75us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTT1N450HV
od PLN 156,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 2A; 520W; TO268HV; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
IXTT2N300P3HV
od PLN 155,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120S
od PLN 154,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...
IXYS
IXTT3N200P3HV
od PLN 153,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 63A; Idm: 330A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
MMIX1F132N50P3
od PLN 153,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCT012H90G3AG
od PLN 152,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 300V; 108A; Idm: 550A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W P...
IXYS
MMIX1F210N30P3
od PLN 151,58*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.