Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 886 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10078SLLG
od PLN 95,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 15A; 690W; TO268 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT15N100Q3
od PLN 50,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 18A; 830W; TO268 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,66Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT18N100Q3
od PLN 59,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polar...
IXYS
IXTY1N100P
od PLN 5,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polar...
IXYS
IXTA1N100P
od PLN 5,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...
IXYS
IXTY2N100P
od PLN 7,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...
IXYS
IXTA2N100P
od PLN 7,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 17ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
IXYS
IXTA3N100D2
od PLN 13,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 820ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...
IXYS
IXTA3N100P
od PLN 9,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 17ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
IXYS
IXTA3N100D2HV
od PLN 12,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacj...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RSLLG
od PLN 40,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacj...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RSFLLG
od PLN 48,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263AA Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Pol...
IXYS
IXFA4N100Q
od PLN 20,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 41ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
IXYS
IXTA6N100D2
od PLN 18,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polaryza...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT9M100S
od PLN 24,17*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   326   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.