Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 838 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 80mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
onsemi
BSR58
od PLN 0,344*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W P...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 142,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 145,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,01mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
od PLN 2,248*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 18A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 17,...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,86mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 36W...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
od PLN 2,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 29,6W ...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W ...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 27,5W P...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 32W Polar...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U34TR
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9...
ROHM Semiconductor
QS5U12TR
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...
ROHM Semiconductor
QS5U17TR
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 500mA; Idm: 2A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U16TR
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.