Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (774 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W P...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 142,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 145,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,01mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
od PLN 2,248*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 18A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 17,...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,86mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 36W...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
od PLN 2,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 29,6W ...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W ...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 27,5W P...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 32W Polar...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 19,5A; 33W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 19,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54,1/51,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny R...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
od PLN 2,158*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   78   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.