Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (195 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U34TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...
ROHM Semiconductor
QS5U17TR
od PLN 0,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9...
ROHM Semiconductor
QS5U12TR
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 500mA; Idm: 2A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U16TR
od PLN 0,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 100V; 7,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 15A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
od PLN 0,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 2,9A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS05N15B
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 34A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG53G06A
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 44A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Polary...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A
od PLN 4,29*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 56A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42,5W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJD80G06A
od PLN 0,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 7,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,24W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12G06A
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 95A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 59W Polaryzacj...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJB150G06AK
od PLN 1,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A
od PLN 1,21*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   13   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.