|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,35A; 280mW (2 ofert) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,28W Pola... |
|
od PLN 0,34*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,35*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,163*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,44*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,44*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,9A; Idm: 12A (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,118Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ... |
|
od PLN 0,40*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 141W (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 141W ... |
Nexperia PSMN2R2-30YLC,115 |
od PLN 2,81*
za szt. |
| |
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 272W (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 272W... |
Nexperia PSMN1R0-30YLC,115 |
od PLN 4,82*
za szt. |
| |
|
Nexperia PSMN2R0-30YLE,115 |
od PLN 3,46*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,92*
za szt. |
| |
|
Nexperia PSMN1R2-30YLC,115 |
od PLN 3,18*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 7,67*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,52*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,396*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,88*
za szt. |
| |
|
