Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (568 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 42,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 139,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,195Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodz...
Taiwan Semiconductor
TSG65N195CE RVG
od PLN 25,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Taiwan Semiconductor
TSG65N190CR RVG
od PLN 24,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Taiwan Semiconductor
TSG65N110CE RVG
od PLN 42,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Taiwan Semiconductor
TSG65N068CE RVG
od PLN 74,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 25V; 127A; Idm: 722A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 127A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W...
Nexperia
PSMN2R0-25YLDX
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 25V; 152A; Idm: 860A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 152A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W...
Nexperia
PSMN1R7-25YLDX
od PLN 3,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 25V; 205A; 172W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 205A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,87mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 172W...
Nexperia
PSMN1R2-25YLDX
od PLN 3,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 25V; 216A; 160W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 216A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W...
Nexperia
PSMN1R0-25YLDX
od PLN 4,62*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   57   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.