Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (644 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W ...
Infineon
IPB60R299CPATMA1
od PLN 5,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPB60R280C6ATMA1
od PLN 4,54*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R099C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R099C7ATMA1
od PLN 9,818*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPL60R104C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R104C7AUMA1
od PLN 11,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16,4A; 139W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139...
Infineon
IPL60R199CPAUMA1
od PLN 7,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPB60R199CPATMA1
od PLN 7,57*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R120P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R120P7ATMA1
od PLN 5,849*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPL60R125P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
od PLN 5,989*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPL60R210P6 tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R210P6AUMA1
od PLN 5,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,3A; 21,6W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 21,6W ...
Infineon
IPL60R2K1C6SATMA1
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPN60R2K1CE tranzystor 650 V (1 Oferta)
Infineon
IPN60R2K1CEATMA1
od PLN 0,95*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB60R099P7 tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPB60R099P7ATMA1
od PLN 8,151*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPL60R105P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R105P7AUMA1
od PLN 7,926*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,149Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W ...
Infineon
IPL60R075CFD7
od PLN 21,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPB60R165CPATMA1
od PLN 16,04*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   43   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.