Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (300 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 62A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB60P1200TLB-TUB
od PLN 1 060,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB40P1200LB-TUB
od PLN 949,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 38A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB30P1200LB-TUB
od PLN 617,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; TO268AAHV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268AAHV Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowani...
IXYS
MCB60I1200TZ-TUB
od PLN 462,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25,5A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 98mΩ Typ tranzystora: N-MOS...
IXYS
MCB20P1200LB-TUB
od PLN 267,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,1kV; 24A; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W ...
IXYS
MMIX1F40N110P
od PLN 193,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 178,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolarny; 1kV; 30A; Idm: 110A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 245mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
IXYS
MMIX1F44N100Q3
od PLN 171,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 3kV; 2A; 520W; TO268HV; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
IXTT2N300P3HV
od PLN 156,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1,75us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,75µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W...
IXYS
IXTT1N450HV
od PLN 155,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 500V; 63A; Idm: 330A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Po...
IXYS
MMIX1F132N50P3
od PLN 153,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...
IXYS
IXTT3N200P3HV
od PLN 153,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 300V; 108A; Idm: 550A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W P...
IXYS
MMIX1F210N30P3
od PLN 152,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 55V; 550A; Idm: 2kA (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W P...
IXYS
MMIX1T550N055T2
od PLN 148,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 334A; Idm: 1kA (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 334A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 680W ...
IXYS
MMIX1F420N10T
od PLN 148,04*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   20   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.