Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD ---

  Tranzystory z kanałem N SMD (1 517 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 12,5A; 55,5W (2 ofert) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
od PLN 34,24*
za szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
od PLN 77,54*
za szt.
Infineon IPDD60R190G7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPDD60R190G7XTMA1
od PLN 4,845*
za szt.
Infineon IPDD60R150G7 (2 ofert)
Infineon
IPDD60R150G7XTMA1
od PLN 5,879*
za szt.
Infineon IPDD60R125G7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPDD60R125G7XTMA1
od PLN 7,204*
za szt.
Infineon IPDD60R102G7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPDD60R102G7XTMA1
od PLN 11,74*
za szt.
Infineon IPDD60R080G7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
od PLN 9,282*
za szt.
Infineon IPDD60R050G7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
od PLN 21,66*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1W; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Diodes
ZXMS6006SGTA
od PLN 2,37*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2A; 1,3W; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Polaryzac...
Diodes
ZXMS6005DGTA
od PLN 1,762*
za szt.
Infineon IPB180N04S4-H0 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IPB180N04S4H0ATMA1
od PLN 6,74*
za szt.
Infineon IPD90N04S4-05 tranzystor (2 ofert)
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
od PLN 1,941*
za szt.
Infineon IPD90N04S4-04 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPD90N04S404ATMA1
od PLN 3,02*
za szt.
Infineon IPB120N06S4-02 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IPB120N06S402ATMA2
od PLN 5,15*
za szt.
Infineon IPD50N06S4L-12 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IPD50N06S4L12ATMA2
od PLN 1,68*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 100A; 214W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W ...
Infineon
IPB100N04S303ATMA1
od PLN 4,80*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolarny; 650V; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 650V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie Technologia: SJMOS™ C4...
WAYON
WMF07N65C4
od PLN 1,47*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolarny; 650V; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 650V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie Technologia: SJMOS™ C4...
WAYON
WMF10N65C4
od PLN 1,68*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 1,05kV; 2,2A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 1,05kV Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WMO07N105C2
od PLN 6,84*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 1kV; 2,2A; Idm: 12A; 65W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 65W Pol...
WAYON
WMO07N100C2
od PLN 3,89*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   76   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.