Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (689 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Infineon
2N7002DWH6327XTSA1
od PLN 0,187*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1
od PLN 0,349*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSD235NH6327XTSA1
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSD840NH6327XTSA1
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1
od PLN 0,552*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSL308CH6327XTSA1
od PLN 0,947*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1
od PLN 0,92*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPG20N04S408ATMA1
od PLN 2,73*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPG20N04S409ATMA1
od PLN 2,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7105TRPBF
od PLN 1,24*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7309TRPBF
od PLN 1,256*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7311TRPBF
od PLN 1,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7343TRPBF
od PLN 1,664*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7501TRPBF
od PLN 3 350,88*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IRF7503TRPBF
od PLN 0,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7509TRPBF
od PLN 1,31*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF7530TRPBF
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF9389TRPBF
od PLN 0,97*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRLHS6276TRPBF
od PLN 0,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO71 Prąd bramki: 30mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 8mA Typ tranzystora: N-JFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
NTE Electronics
NTE461
od PLN 25,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2/1,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/60W Polaryzacja...
Vishay
SIZF914DT-T1-GE3
od PLN 4,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/50W Polaryzacja...
Vishay
SIZF918DT-T1-GE3
od PLN 3,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryzacja: u...
Vishay
SIZ980DT-T1-GE3
od PLN 10 963,35*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20,2/32,9W Polaryzacj...
Vishay
SIZ998DT-T1-GE3
od PLN 3,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 17,8W ...
Vishay
SIR770DP-T1-GE3
od PLN 8 642,10*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 75/141A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7/2,57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 48/74W Polaryzacja: ...
Vishay
SIZF300DT-T1-GE3
od PLN 8 898,72*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 54,8/197A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,12/1,72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryza...
Vishay
SIZ980BDT-T1-GE3
od PLN 3,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/1,75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/60W Polaryzacj...
Vishay
SIZF916DT-T1-GE3
od PLN 3,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 38/83W Polaryzacja: un...
Vishay
SIZF906ADT-T1-GE3
od PLN 10 729,83*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 38/83W Polaryzacja: un...
Vishay
SIZF906DT-T1-GE3
od PLN 14 278,26*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SM8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,16W Polary...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
od PLN 3,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 30A; 46W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 46W Polar...
Nexperia
PSMN013-40VLDX
od PLN 2,184*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 69,5A; 85W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 69,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 85W Pola...
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 5,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
od PLN 126,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
od PLN 66,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
od PLN 72,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 20V; 5A; 1,6W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STS5DNF20V
od PLN 1,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 3A; 2,5W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
od PLN 1,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 6,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ3400A
od PLN 0,99*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 9,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJSD12N03A
od PLN 2,30*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM50-025TF
od PLN 60,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,215A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 445mW Po...
Nexperia
2N7002BKS,115
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT666 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,525W Polaryzacja: u...
Nexperia
2N7002BKV,115
od PLN 0,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Pol...
Nexperia
2N7002PS,115
od PLN 0,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,25A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT666 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,5W Polaryzacja: u...
Nexperia
2N7002PV,115
od PLN 0,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 9,7A; 16W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 9,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Polar...
Vishay
SIS990DN-T1-GE3
od PLN 1,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 12V; 4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIA910EDJ-T1-GE3
od PLN 1,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 4,5A; 7,8W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIA938DJT-T1-GE3
od PLN 1,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 660mA; 270mW (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 630µΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...
Vishay
SI1902DL-T1-GE3
od PLN 0,97*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   14   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.