Tranzystory multikanałowe kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 38/83W Polaryzacja: un...

Vishay

SIZF906DT-T1-GE3

od PLN 14 278,26*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryzacja: u...

Vishay

SIZ980DT-T1-GE3

od PLN 10 963,35*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Vishay

SIZF906ADT-T1-GE3

od PLN 10 729,83*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 75/141A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7/2,57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 48/74W Polaryzacja: ...

Vishay

SIZF300DT-T1-GE3

od PLN 8 898,72*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 17,8W ...

Vishay

SIR770DP-T1-GE3

od PLN 8 642,10*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF7910TRPBF

od PLN 7 800,04*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -60V; -4,4A; 3,3W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzacja: unip...

Vishay

SQ4961EY-T1-GE3

od PLN 7 671,125*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF9910TRPBF

od PLN 7 069,40*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 5,8/-4,3A; 2,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,8/-4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45/90mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana:...

Infineon

IRF7379TRPBF

od PLN 4 713,68*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 17/30A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 17/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,3/37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16/16,7W Polaryzacja: unipolarn...

Vishay

SIZ346DT-T1-GE3

od PLN 4 417,98*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA923AEDJ-T1-GE3

od PLN 3 962,94*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...

Infineon

IRF7506TRPBF

od PLN 3 428,24*
za 4 000 szt.

Infineon IRF7501 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IRF7501TRPBF

od PLN 3 350,88*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -4,5A; 6,5W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA913ADJ-T1-GE3

od PLN 3 272,61*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRF9956TRPBF

od PLN 3 111,76*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...

MICROCHIP (MICROSEMI)

ARF475FL

od PLN 786,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ t...

IXYS

MKE38P600LB

od PLN 127,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...

IXYS

MMIX2F60N50P3

od PLN 126,92*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM22-06PF

od PLN 72,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolarny; 75V; 120A; 170W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 66ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM150-0075X2F

od PLN 66,64*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM22-05PF

od PLN 66,47*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM75-01F

od PLN 63,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM50-025TF

od PLN 60,26*
za szt.

Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO71 Prąd bramki: 30mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 8mA Typ tranzystora: N-JFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...

NTE Electronics

NTE461

od PLN 25,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,5A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRF7101TRPBF

od PLN 21,42*
za 20 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8260LET60

od PLN 15,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 80V; 24,7A; 33W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 24,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...

Vishay

SIZ260DT-T1-GE3

od PLN 13,49*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 9A; 16W; PDFN56U (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56U Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Pol...

Taiwan Semiconductor

TQM150NB04DCR RLG

od PLN 11,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8280

od PLN 11,79*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 24A; Idm: 299A; 33W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD86100

od PLN 11,29*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 150/-150V; 2,4/-0,9A; 1,9W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 150/-150V Prąd drenu: 2,4/-0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2171/306mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,9W ...

onsemi

FDMC8097AC

od PLN 10,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 62A; Idm: 464A; 42W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD8240L

od PLN 10,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 42A; Idm: 487A; 39W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FDMD8680

od PLN 9,87*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 25A; Idm: 80A; 2,1W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD82100

od PLN 9,43*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8240LET40

od PLN 9,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x4; unipolarny; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: WDFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 191mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x4 Moc rozpraszana: 17W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMQ8403

od PLN 8,51*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 21A; Idm: 80A; 23W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 23W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDMD84100

od PLN 7,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 37W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8260L

od PLN 7,59*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3

od PLN 6,35*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 3,5A; 31W; SO8 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,107Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDS89141

od PLN 6,003*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 54/126A; 26/42W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 54/126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9/1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 26/42W Polar...

onsemi

FDMS1D2N03DSD

od PLN 5,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 60A; 25W; PowerPAK® 8x8L (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 8x8L Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 25W Polaryzacj...

Vishay

SQJQ900E-T1_GE3

od PLN 5,87*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -15V; -0,53A; Idm: 7A; SO8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -530mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rod...

Texas Instruments

TPS1120D

od PLN 5,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD82100L

od PLN 5,57*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 32/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13/8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...

onsemi

FDMS9600S

od PLN 5,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 69,5A; 85W (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 69,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 85W Pola...

Nexperia

PSMN4R2-40VSHX

od PLN 5,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 36A; 24W; PowerPAK® 8x8L (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 8x8L Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 24W Polaryzacja:...

Vishay

SQJQ960EL-T1_GE3

od PLN 4,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 8,2A; Idm: 40A; 16W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMC89521L

od PLN 4,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 30/60A; 2,2/2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 30/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11/2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,2/2,5W Polar...

onsemi

FDMS3660S

od PLN 4,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 25A; 1,5W; LSON-CLIP8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: LSON-CLIP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...

Texas Instruments

CSD87335Q3DT

od PLN 4,40*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 14 Dalej

Tranzystory multikanałowe (689 artykułów)