Tranzystory multikanałowe kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N/P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DH08D

od PLN 0,123*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanał...

WAYON

WM02DN50M3

od PLN 0,124*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DN08D

od PLN 0,124*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT363 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM05DP01D

od PLN 0,124*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DP06D

od PLN 0,124*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W (1 Oferta)

Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,2W P...

DIOTEC SEMICONDUCTOR

MMBT7002DW

od PLN 0,13*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM06DN03DE

od PLN 0,134*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM03DN06D

od PLN 0,136*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,17A; 285mW; SC88; ESD (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...

Toshiba

SSM6N7002CFU,LF(T

od PLN 0,155*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 110mA; Idm: 0,72A; 375mW (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 375mW P...

Nexperia

NX3020NAKS,115

od PLN 0,165*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W Pol...

Diodes

DMN63D8LDW-7

od PLN 0,17*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW (1 Oferta)

Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,12W Po...

PanJit Semiconductor

2N7002KDW_R1_00001

od PLN 0,174*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563; ESD (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,45W Po...

Diodes

DMN63D8LV-7

od PLN 0,183*
za szt.

Infineon 2N7002DW tranzystor 60 V (3 ofert)

Infineon

2N7002DWH6327XTSA1

od PLN 0,185*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 0,25A; 0,31W; SOT363; ESD (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,31W Po...

Diodes

DMN53D0LDW-7

od PLN 0,189*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; 285mW; SC88; ESD (2 ofert)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

od PLN 0,19*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT563; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DN08T

od PLN 0,196*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT563; ESD (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DP06T

od PLN 0,196*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW (1 Oferta)

Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motor...

PanJit Semiconductor

2N7002KDW-AU_R1_000A1

od PLN 0,198*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,14A; 0,12W; SOT363 (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,12W P...

Diodes

2N7002DW-7-F

od PLN 0,202*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,215A; Idm: 1,2A (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 445mW Po...

Nexperia

2N7002BKS,115

od PLN 0,206*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,26A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża moto...

Diodes

DMN63D8LDWQ-7

od PLN 0,206*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...

onsemi

NTJD5121NT1G

od PLN 0,217*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -3A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W Pola...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS2301A

od PLN 0,224*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...

Diodes

DMG6301UDW-7

od PLN 0,23*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 100mA; Idm: 0,68A; 330mW (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,33W Po...

Nexperia

NX7002AKS,115

od PLN 0,23*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 60/-50V; 0,115/-0,13A; 0,2W (1 Oferta)

Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60/-50V Prąd drenu: 0,115/-0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...

DIOTEC SEMICONDUCTOR

MMFT8472DW

od PLN 0,23*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 0,35/-0,2A; 990mW (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 0,35/-0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4/4,1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...

Nexperia

NX3008CBKS,115

od PLN 0,232*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 360mA; Idm: 1,2A; 236mW (1 Oferta)

Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża mot...

PanJit Semiconductor

PJT138K-AU_R1_000A1

od PLN 0,237*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,8/-0,55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5/1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...

Diodes

DMC2400UV-7

od PLN 0,239*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren (1 Oferta)

WAYON

WM02DN60M3

od PLN 0,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,9A; Idm: 9,6A; 0,32W (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...

Diodes

DMN3190LDW-7

od PLN 0,245*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 6,2A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pola...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJQ3400A

od PLN 0,246*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT563 (1 Oferta)

Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany

PanJit Semiconductor

PJX138L_R1_00002

od PLN 0,247*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 350mA; Idm: 1,2A; 223mW (1 Oferta)

Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 223mW P...

PanJit Semiconductor

PJX138K_R1_00001

od PLN 0,249*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A (1 Oferta)

Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 6/-5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polar...

YANGJIE TECHNOLOGY

YJS4606A

od PLN 0,249*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOP8 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM02DN48A

od PLN 0,249*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Pol...

Nexperia

2N7002PS,115

od PLN 0,25*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -25V; -120mA; 380mW; SOT363 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,38W P...

Diodes

DMG6302UDW-7

od PLN 0,253*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,35W Pol...

Diodes

DMN3401LDW-7

od PLN 0,258*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 160mA; Idm: 0,8A; 400mW (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...

Diodes

DMN65D8LDWQ-7

od PLN 0,26*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; 0,32W; SOT363; ESD (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...

Diodes

DMN61D9UDW-7

od PLN 0,262*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 1,2A; 420mW (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Po...

Nexperia

BSS138PS,115

od PLN 0,262*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren; ESD (1 Oferta)

WAYON

WM02DN70M3

od PLN 0,263*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 220mW (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,22W Pola...

Diodes

DMN33D8LDW-7

od PLN 0,267*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 20/-20V; 0,1/-0,1A; Idm: 0,4A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: VMT6 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,1/-0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5/3,8Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: ...

ROHM Semiconductor

VT6M1T2CR

od PLN 0,27*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 1,14/-1,34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4/0,7Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...

Diodes

DMC2700UDM-7

od PLN 0,27*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOP8 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WM03DP50A

od PLN 0,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,1A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipo...

Toshiba

SSM6N15AFU,LF(T

od PLN 0,274*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,84A; 0,53W; SOT563; ESD (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W Po...

Diodes

DMN2400UV-7

od PLN 0,277*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 15 Dalej

Tranzystory multikanałowe (716 artykułów)