Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (716 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N/P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DH08D
od PLN 0,123*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanał...
WAYON
WM02DN50M3
od PLN 0,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DN08D
od PLN 0,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM05DP01D
od PLN 0,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DP06D
od PLN 0,124*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,2W P...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMBT7002DW
od PLN 0,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM06DN03DE
od PLN 0,134*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM03DN06D
od PLN 0,136*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,17A; 285mW; SC88; ESD (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...
Toshiba
SSM6N7002CFU,LF(T
od PLN 0,155*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 110mA; Idm: 0,72A; 375mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 375mW P...
Nexperia
NX3020NAKS,115
od PLN 0,165*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,17A; Idm: 0,8A; 0,4W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W Pol...
Diodes
DMN63D8LDW-7
od PLN 0,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 115mA; Idm: 800mA; 120mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,12W Po...
PanJit Semiconductor
2N7002KDW_R1_00001
od PLN 0,174*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,45W Po...
Diodes
DMN63D8LV-7
od PLN 0,183*
za szt.
 
 szt.
Infineon
2N7002DWH6327XTSA1
od PLN 0,185*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 0,25A; 0,31W; SOT363; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,31W Po...
Diodes
DMN53D0LDW-7
od PLN 0,189*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; 285mW; SC88; ESD (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 285mW Polaryzacja: uni...
Toshiba
SSM6N7002KFU,LF(T
od PLN 0,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT563; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DN08T
od PLN 0,196*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOT563; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DP06T
od PLN 0,196*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motor...
PanJit Semiconductor
2N7002KDW-AU_R1_000A1
od PLN 0,198*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,14A; 0,12W; SOT363 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,12W P...
Diodes
2N7002DW-7-F
od PLN 0,202*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,215A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 445mW Po...
Nexperia
2N7002BKS,115
od PLN 0,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,26A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża moto...
Diodes
DMN63D8LDWQ-7
od PLN 0,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,295A; 0,25W; ESD (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...
onsemi
NTJD5121NT1G
od PLN 0,217*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -3A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2301A
od PLN 0,224*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...
Diodes
DMG6301UDW-7
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 100mA; Idm: 0,68A; 330mW (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,33W Po...
Nexperia
NX7002AKS,115
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 60/-50V; 0,115/-0,13A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60/-50V Prąd drenu: 0,115/-0,13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFT8472DW
od PLN 0,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 0,35/-0,2A; 990mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 0,35/-0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4/4,1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasz...
Nexperia
NX3008CBKS,115
od PLN 0,232*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 360mA; Idm: 1,2A; 236mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża mot...
PanJit Semiconductor
PJT138K-AU_R1_000A1
od PLN 0,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,8/-0,55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5/1Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...
Diodes
DMC2400UV-7
od PLN 0,239*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanał...
WAYON
WM02DN60M3
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,9A; Idm: 9,6A; 0,32W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...
Diodes
DMN3190LDW-7
od PLN 0,245*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 6,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ3400A
od PLN 0,246*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
PanJit Semiconductor
PJX138L_R1_00002
od PLN 0,247*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 50V; 350mA; Idm: 1,2A; 223mW (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 223mW P...
PanJit Semiconductor
PJX138K_R1_00001
od PLN 0,249*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 6/-5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS4606A
od PLN 0,249*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM02DN48A
od PLN 0,249*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Pol...
Nexperia
2N7002PS,115
od PLN 0,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -25V; -120mA; 380mW; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,38W P...
Diodes
DMG6302UDW-7
od PLN 0,253*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,35W Pol...
Diodes
DMN3401LDW-7
od PLN 0,258*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 160mA; Idm: 0,8A; 400mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...
Diodes
DMN65D8LDWQ-7
od PLN 0,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; 0,32W; SOT363; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,32W Po...
Diodes
DMN61D9UDW-7
od PLN 0,262*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 200mA; Idm: 1,2A; 420mW (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Po...
Nexperia
BSS138PS,115
od PLN 0,262*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; SOT23-6; wspólny dren; ESD (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Wersja: ESD ...
WAYON
WM02DN70M3
od PLN 0,263*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 200mA; Idm: 0,8A; 220mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,22W Pola...
Diodes
DMN33D8LDW-7
od PLN 0,267*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 20/-20V; 0,1/-0,1A; Idm: 0,4A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: VMT6 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 0,1/-0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5/3,8Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
ROHM Semiconductor
VT6M1T2CR
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 20/-20V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 1,14/-1,34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4/0,7Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
DMC2700UDM-7
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Cena jednostkowa: Nie Rodzaj kanału: wzbogacany
WAYON
WM03DP50A
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 0,1A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
SSM6N15AFU,LF(T
od PLN 0,274*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,84A; 0,53W; SOT563; ESD (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W Po...
Diodes
DMN2400UV-7
od PLN 0,277*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   15   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.