Tranzystory multikanałowe kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 38/83W Polaryzacja: un...

Vishay

SIZF906DT-T1-GE3

od PLN 14 278,26*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryzacja: u...

Vishay

SIZ980DT-T1-GE3

od PLN 10 963,35*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Vishay

SIZF906ADT-T1-GE3

od PLN 10 729,83*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 75/141A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7/2,57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 48/74W Polaryzacja: ...

Vishay

SIZF300DT-T1-GE3

od PLN 8 898,72*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 17,8W ...

Vishay

SIR770DP-T1-GE3

od PLN 8 642,10*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF7910TRPBF

od PLN 7 800,04*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -60V; -4,4A; 3,3W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzacja: unip...

Vishay

SQ4961EY-T1-GE3

od PLN 7 671,125*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF9910TRPBF

od PLN 7 069,40*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 5,8/-4,3A; 2,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,8/-4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45/90mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana:...

Infineon

IRF7379TRPBF

od PLN 4 713,68*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 17/30A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 17/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,3/37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16/16,7W Polaryzacja: unipolarn...

Vishay

SIZ346DT-T1-GE3

od PLN 4 417,98*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA923AEDJ-T1-GE3

od PLN 3 962,94*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...

Infineon

IRF7506TRPBF

od PLN 3 428,24*
za 4 000 szt.

Infineon IRF7501 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IRF7501TRPBF

od PLN 3 350,88*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -4,5A; 6,5W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA913ADJ-T1-GE3

od PLN 3 272,61*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRF9956TRPBF

od PLN 3 111,76*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...

MICROCHIP (MICROSEMI)

ARF475FL

od PLN 786,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ t...

IXYS

MKE38P600LB

od PLN 127,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...

IXYS

MMIX2F60N50P3

od PLN 126,92*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM22-06PF

od PLN 72,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolarny; 75V; 120A; 170W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 66ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM150-0075X2F

od PLN 66,64*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 35 Dalej

Tranzystory multikanałowe (689 artykułów)