Tranzystory multikanałowe kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,3/1,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 38/83W Polaryzacja: un...

Vishay

SIZF906DT-T1-GE3

od PLN 14 278,26*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryzacja: u...

Vishay

SIZ980DT-T1-GE3

od PLN 10 963,35*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Vishay

SIZF906ADT-T1-GE3

od PLN 10 729,83*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 75/141A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7/2,57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 48/74W Polaryzacja: ...

Vishay

SIZF300DT-T1-GE3

od PLN 8 898,72*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 17,8W ...

Vishay

SIR770DP-T1-GE3

od PLN 8 642,10*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF7910TRPBF

od PLN 7 800,04*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -60V; -4,4A; 3,3W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzacja: unip...

Vishay

SQ4961EY-T1-GE3

od PLN 7 671,125*
za 2 500 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...

Infineon

IRF9910TRPBF

od PLN 7 069,40*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 5,8/-4,3A; 2,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 5,8/-4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45/90mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana:...

Infineon

IRF7379TRPBF

od PLN 4 713,68*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 17/30A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 17/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,3/37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16/16,7W Polaryzacja: unipolarn...

Vishay

SIZ346DT-T1-GE3

od PLN 4 417,98*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA923AEDJ-T1-GE3

od PLN 3 962,94*
za 3 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...

Infineon

IRF7506TRPBF

od PLN 3 428,24*
za 4 000 szt.

Infineon IRF7501 tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IRF7501TRPBF

od PLN 3 350,88*
za 4 000 szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -4,5A; 6,5W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolarny Rodza...

Vishay

SIA913ADJ-T1-GE3

od PLN 3 272,61*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 ofert)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRF9956TRPBF

od PLN 3 111,76*
za 4 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...

MICROCHIP (MICROSEMI)

ARF475FL

od PLN 786,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ t...

IXYS

MKE38P600LB

od PLN 127,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...

IXYS

MMIX2F60N50P3

od PLN 126,92*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM22-06PF

od PLN 72,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolarny; 75V; 120A; 170W (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 66ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM150-0075X2F

od PLN 66,64*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM22-05PF

od PLN 66,47*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod...

IXYS

FMM75-01F

od PLN 63,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...

IXYS

FMM50-025TF

od PLN 60,26*
za szt.

Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO71 Prąd bramki: 30mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 8mA Typ tranzystora: N-JFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...

NTE Electronics

NTE461

od PLN 25,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,5A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...

Infineon

IRF7101TRPBF

od PLN 21,42*
za 20 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8260LET60

od PLN 15,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 80V; 24,7A; 33W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 24,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...

Vishay

SIZ260DT-T1-GE3

od PLN 13,49*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 9A; 16W; PDFN56U (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56U Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Pol...

Taiwan Semiconductor

TQM150NB04DCR RLG

od PLN 11,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8280

od PLN 11,79*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 24A; Idm: 299A; 33W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD86100

od PLN 11,29*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 150/-150V; 2,4/-0,9A; 1,9W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 150/-150V Prąd drenu: 2,4/-0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2171/306mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,9W ...

onsemi

FDMC8097AC

od PLN 10,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 62A; Idm: 464A; 42W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD8240L

od PLN 10,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 42A; Idm: 487A; 39W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FDMD8680

od PLN 9,87*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 25A; Idm: 80A; 2,1W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMD82100

od PLN 9,43*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8240LET40

od PLN 9,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x4; unipolarny; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: WDFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 191mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x4 Moc rozpraszana: 17W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMQ8403

od PLN 8,51*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 21A; Idm: 80A; 23W; PQFN8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 23W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDMD84100

od PLN 7,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 37W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD8260L

od PLN 7,59*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta)

Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3

od PLN 6,35*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 3,5A; 31W; SO8 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,107Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDS89141

od PLN 6,003*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 54/126A; 26/42W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 54/126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,9/1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 26/42W Polar...

onsemi

FDMS1D2N03DSD

od PLN 5,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 60A; 25W; PowerPAK® 8x8L (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 8x8L Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 25W Polaryzacj...

Vishay

SQJQ900E-T1_GE3

od PLN 5,87*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -15V; -0,53A; Idm: 7A; SO8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -530mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rod...

Texas Instruments

TPS1120D

od PLN 5,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FDMD82100L

od PLN 5,57*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 32/30A; Idm: 60A; 2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 32/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13/8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...

onsemi

FDMS9600S

od PLN 5,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 69,5A; 85W (2 ofert)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 69,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 85W Pola...

Nexperia

PSMN4R2-40VSHX

od PLN 5,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 36A; 24W; PowerPAK® 8x8L (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 8x8L Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 24W Polaryzacja:...

Vishay

SQJQ960EL-T1_GE3

od PLN 4,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 8,2A; Idm: 40A; 16W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDMC89521L

od PLN 4,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 30/60A; 2,2/2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 30/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11/2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,2/2,5W Polar...

onsemi

FDMS3660S

od PLN 4,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 25A; 1,5W; LSON-CLIP8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: LSON-CLIP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...

Texas Instruments

CSD87335Q3DT

od PLN 4,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 22/85A; 9,6/30W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 22/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,3/0,83mΩ ...

Alpha & Omega Semiconductor

AOE6930

od PLN 4,39*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 12/-12V; 7,8W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 12/-12V Prąd drenu: 4,5/-4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 174/65mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolar...

Vishay

SIA527DJ-T1-GE3

od PLN 4,34*
za 5 szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 20/-20V; 12/-9A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 20/-20V Prąd drenu: 12/-9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43/19,5mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 3,5W ...

Vishay

SI7540ADP-T1-GE3

od PLN 4,30*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -60A; 46W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,8mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 46W Polaryzac...

Vishay

SI7997DP-T1-GE3

od PLN 4,278*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 7,4A; 3,9W; SO8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipo...

Vishay

SQ4284EY-T1_GE3

od PLN 4,25*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2/1,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/60W Polaryzacja...

Vishay

SIZF914DT-T1-GE3

od PLN 4,09*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET x2; unipolarny; 60/-60V; 1,4/-1,2A; 1,3W (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223-8 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 1,4/-1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET x2 Moc rozprasz...

Diodes

ZXMHC6A07T8TA

od PLN 4,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,89A; 0,53W; SOT563 (2 ofert)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W P...

Diodes

DMG1024UV-7

od PLN 3,95*
za 10 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDS89161

od PLN 3,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 16A; Idm: 92A; 68W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryz...

Nexperia

BUK7K15-80EX

od PLN 3,85*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 4,8/-5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,045/0,055Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...

Diodes

ZXMC6A09DN8TA

od PLN 3,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 54,8/197A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,12/1,72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryza...

Vishay

SIZ980BDT-T1-GE3

od PLN 3,80*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SM8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,16W Polary...

Diodes

ZXMS6006DT8TA

od PLN 3,74*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 10A; 9,6W; PDFN56 (2 ofert)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 9,6W Pola...

Taiwan Semiconductor

TSM110NB04DCR RLG

od PLN 3,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 7A; 9,6W; PDFN56 (2 ofert)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 9,6W Polar...

Taiwan Semiconductor

TSM250NB06DCR RLG

od PLN 3,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...

Nexperia

BUK9K22-80EX

od PLN 3,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 40A; Idm: 305A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryz...

Nexperia

BUK9K5R6-30EX

od PLN 3,66*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 40A; Idm: 265A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motor...

Nexperia

BUK9K6R8-40EX

od PLN 3,66*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/50W Polaryzacja...

Vishay

SIZF918DT-T1-GE3

od PLN 3,65*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/1,75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/60W Polaryzacj...

Vishay

SIZF916DT-T1-GE3

od PLN 3,62*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET x2; unipolarny; 100/-80V; 6/-6A; 2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: WDFN12 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 100/-80V Prąd drenu: 6/-6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 323/191mΩ Typ tranzystora: N...

onsemi

FDMQ8203

od PLN 3,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 20,4A; Idm: 116A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 20,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 76mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motor...

Nexperia

BUK7K32-100EX

od PLN 3,61*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 33A; Idm: 190A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...

Nexperia

BUK9K13-60EX

od PLN 3,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 38A; Idm: 213A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Nexperia

BUK7K13-60EX

od PLN 3,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 1,9A; 1,25W; MSOP8 (2 ofert)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: DIODES INCORPORATED ...

Diodes

ZXMD63N03XTA

od PLN 3,58*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 60A; Idm: 80A (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 46W Polaryzacja: ...

Vishay

SI7938DP-T1-GE3

od PLN 3,54*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 40A; Idm: 314A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...

Nexperia

BUK7K5R6-30E,115

od PLN 3,54*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Nexperia

BUK7K17-80EX

od PLN 3,54*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 22/26A; 1,9W; Power33 (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 22/26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,4/7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,9W Polar...

onsemi

FDMC7208S

od PLN 3,52*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 55/85A; 9,6/20W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 55/85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5/1,4mΩ Typ...

Alpha & Omega Semiconductor

AOE6932

od PLN 3,52*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20,2/32,9W Polaryzacj...

Vishay

SIZ998DT-T1-GE3

od PLN 3,48*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -7A; Idm: -30A; 2,2W (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: WDFN6 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,2W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDMB2308PZ

od PLN 3,465*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 12A; 11,4W; Power33 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 11,4W Polaryzacja: uni...

onsemi

FDMC9430L-F085

od PLN 3,46*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,6A; 1W; TSSOP8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSSOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipol...

Vishay

SI6926ADQ-T1-E3

od PLN 3,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A; 44,4W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44,4W Polary...

Vishay

SISF02DN-T1-GE3

od PLN 3,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A; 44,4W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44,4W Polaryza...

Vishay

SISF00DN-T1-GE3

od PLN 3,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 30/60A; 2,2/2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 30/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11/4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,2/2,5W Pol...

onsemi

FDMS3664S

od PLN 3,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 8A; 8W; PDFN56 (2 ofert)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 8W Polaryz...

Taiwan Semiconductor

TSM150NB04DCR RLG

od PLN 3,25*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 6A; 8W; PDFN56 (2 ofert)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 8W Polaryz...

Taiwan Semiconductor

TSM300NB06DCR RLG

od PLN 3,25*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,5A; 1,7W; SOP8 (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,7W Polar...

Taiwan Semiconductor

TSM4946DCS RLG

od PLN 3,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 60V; 41A; 44,4W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44,4W Polar...

Vishay

SISF20DN-T1-GE3

od PLN 3,22*
za szt.

Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ECH8 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 4,7/-3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55/94mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polaryza...

onsemi

ECH8690-TL-H

od PLN 3,21*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 7,4A; 3,1W; SO8 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 7,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SI4288DY-T1-GE3

od PLN 3,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; PDFN5060-8; asymetryczna (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: PDFN5060-8 Struktura półprzewodnika: asymetryczna Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany

WAYON

WMB31430DN

od PLN 3,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30/30V; 30/30A; 2,2/2,5W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 30/30V Prąd drenu: 30/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12/7,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,2/2,5W Pol...

onsemi

FDMS7602S

od PLN 3,15*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -80V; -2,1A; 3,1W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -80V Prąd drenu: -2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 308mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...

onsemi

FDS8935

od PLN 3,14*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 12A; Idm: 68A; 53W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Nexperia

BUK9K30-80EX

od PLN 3,08*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -6,5A; 2W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SI4963BDY-T1-E3

od PLN 3,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 40A; 29,6W (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 29,6W Polaryzac...

Vishay

SIRB40DP-T1-GE3

od PLN 3,02*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 15A; Idm: 83A; 53W (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 124mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...

Nexperia

BUK9K45-100E,115

od PLN 3,00*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 Dalej

Tranzystory multikanałowe (689 artykułów)