Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (698 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -0,68A; 0,53W; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -680mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W P...
Diodes
DMG1023UV-7
od PLN 0,319*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -680mA; Idm: -3A; 530mW (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -680mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 25Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Zastosowanie: branża mot...
Diodes
DMG1023UVQ-7
od PLN 0,348*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,89A; 0,53W; SOT563 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,53W P...
Diodes
DMG1024UV-7
od PLN 0,421*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; Idm: 1A; 0,58W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,58W Pol...
Diodes
DMG1026UV-7
od PLN 0,38*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 0,4/-0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7/4Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana...
Diodes
DMG1029SV-7
od PLN 0,43*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 0,4/-0,28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7/4Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowanie: b...
Diodes
DMG1029SVQ-7
od PLN 0,46*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 35/-35V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TO252-4 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 35/-35V Prąd drenu: 7,8/-8,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,035/0,045...
Diodes
DMG4511SK4-13
od PLN 1,27*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryz...
Diodes
DMG4800LSD-13
od PLN 0,705*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...
Diodes
DMG4800LSDQ-13
od PLN 0,71*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...
Diodes
DMG6301UDW-7
od PLN 0,91*
za 5 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -25V; -120mA; 380mW; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: -25V Prąd drenu: -0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,38W P...
Diodes
DMG6302UDW-7
od PLN 1,90*
za 10 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TSOT26 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 3/-2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,065/0,142Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszan...
Diodes
DMG6601LVT-7
od PLN 0,41*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 30/-30V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TSOT26 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 2,8/-3,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,06/0,095Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpras...
Diodes
DMG6602SVT-7
od PLN 0,46*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 2,7/-2,4A; 0,84W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TSOT26 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 2,7/-2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,06/0,095Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Zastosowani...
Diodes
DMG6602SVTQ-7
od PLN 0,35*
za szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 2,7/-2,4A; 800mW (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TSOT26 Napięcie dren-źródło: 30/-30V Prąd drenu: 2,7/-2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 100/140mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozprasza...
Diodes
DMG6602SVTX-7
od PLN 0,38*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.