Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (698 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE461
brak danych
od PLN 24,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM50-025TF
brak danych
od PLN 58,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM75-01F
brak danych
od PLN 61,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolarny; 75V; 120A; 170W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 66ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM150-0075X2F
brak danych
od PLN 64,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
brak danych
od PLN 65,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
brak danych
od PLN 71,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
brak danych
od PLN 124,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ t...
IXYS
MKE38P600LB
brak danych
od PLN 125,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
ARF475FL
brak danych
od PLN 745,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF9956TRPBF
brak danych
od PLN 3 067,00*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon IRF7501 tranzystor 60 V (1 Oferta)
Infineon
IRF7501TRPBF
brak danych
od PLN 3 262,32*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -4,5A; 6,5W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIA913ADJ-T1-GE3
brak danych
od PLN 3 265,47*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,7A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...
Infineon
IRF7506TRPBF
brak danych
od PLN 3 341,76*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIA923AEDJ-T1-GE3
brak danych
od PLN 3 966,57*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 17/30A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 17/30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15,3/37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16/16,7W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SIZ346DT-T1-GE3
brak danych
od PLN 4 405,68*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.