Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (697 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 3,6/-2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
Diodes
ZXMC4559DN8TA
od PLN 1,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; para komplementarna; 60/-60V (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 60/-60V Prąd drenu: 0,51/-0,34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4/10Ω Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,96W P...
onsemi
NDC7001C
od PLN 2,79*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; -20V; -3A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2301A
od PLN 1,81*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET x2; Trench; unipolarny; -20V; -300mA; Idm: -2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1216;DFN1010B-6 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Polaryzacja: unipolarny...
Nexperia
PMDXB950UPEZ
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -12V; -4,5A; 6,5W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 6,5W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIA913ADJ-T1-GE3
od PLN 3 267,00*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIA923AEDJ-T1-GE3
od PLN 3 961,35*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIA923EDJ-T1-GE3
od PLN 6,35*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -20V; -6,5A; 2W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4963BDY-T1-E3
od PLN 3,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -60A; 46W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,8mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 46W Polaryzac...
Vishay
SI7997DP-T1-GE3
od PLN 4,278*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; -60V; -4,4A; 3,3W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzacja: unip...
Vishay
SQ4961EY-T1-GE3
od PLN 7 672,90*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -12V; -1,3A; Idm: -5,2A; 1W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TUMT6 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -1,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,06Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Polar...
ROHM Semiconductor
US6J11TR
od PLN 0,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -12V; -2,5A; 0,96W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,96W Polaryzacj...
onsemi
FDC6318P
od PLN 1,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -12V; -2A; Idm: -8A; 1,25W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT6 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polar...
ROHM Semiconductor
QS6J11TR
od PLN 0,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT8 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 132mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polar...
ROHM Semiconductor
QS8J2TR
od PLN 1,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -12V; -5,5A; Idm: -18A; 1,5W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSMT8 Napięcie dren-źródło: -12V Prąd drenu: -5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Pola...
ROHM Semiconductor
QS8J13TR
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.