Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (699 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8/2,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 26,6/50W Polaryzacja...
Vishay
SIZF918DT-T1-GE3
od PLN 3,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10/2,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 + Schottky Moc rozpraszana: 20/66W Polaryzacja: u...
Vishay
SIZ980DT-T1-GE3
od PLN 10 973,31*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SM8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,16W Polary...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
od PLN 3,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 30A; 46W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 46W Polar...
Nexperia
PSMN013-40VLDX
od PLN 2,224*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 69,5A; 85W (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT1205;LFPAK56D Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 69,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 85W Pola...
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 3,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
od PLN 125,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
od PLN 65,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
od PLN 71,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 20V; 5A; 1,6W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STS5DNF20V
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 3A; 2,5W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
od PLN 1,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 6,2A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN2020-6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Pola...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ3400A
od PLN 0,98*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 9,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2,5W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJSD12N03A
od PLN 2,26*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM50-025TF
od PLN 59,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,215A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,215A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 445mW Po...
Nexperia
2N7002BKS,115
od PLN 0,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT363;SC88;TSSOP6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,42W Pol...
Nexperia
2N7002PS,115
od PLN 0,25*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.