Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystory multikanałowe

  Tranzystory multikanałowe (699 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; RF; 500V; 10A; 910W; T3A-8 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: T3A-8 Częstotliwość: 128MHz Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Wzmocnienie: 1...
MICROCHIP (MICROSEMI)
ARF475FL
od PLN 756,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ t...
IXYS
MKE38P600LB
od PLN 126,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 320...
IXYS
MMIX2F60N50P3
od PLN 124,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 66A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-06PF
od PLN 71,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchT2™; unipolarny; 75V; 120A; 170W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 66ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM150-0075X2F
od PLN 65,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolarny; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM22-05PF
od PLN 65,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 75A; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewod...
IXYS
FMM75-01F
od PLN 62,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; Trench; unipolarny; 250V; 30A; Idm: 130A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Czas gotowości: 84ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodz...
IXYS
FMM50-025TF
od PLN 59,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET x2; unipolarny; 50V; 8mA; 0,25W; TO71; Igt: 30mA (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO71 Prąd bramki: 30mA Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 8mA Typ tranzystora: N-JFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
NTE Electronics
NTE461
od PLN 24,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7101TRPBF
od PLN 21,13*
za 20 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 47A; Idm: 304A; 44W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN12 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDMD8260LET60
od PLN 15,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 9A; 16W; PDFN56U (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56U Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16W Pol...
Taiwan Semiconductor
TQM150NB04DCR RLG
od PLN 11,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FDMD8280
od PLN 11,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 24A; Idm: 299A; 33W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unip...
onsemi
FDMD86100
od PLN 11,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 150/-150V; 2,4/-0,9A; 1,9W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power33 Napięcie dren-źródło: 150/-150V Prąd drenu: 2,4/-0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2171/306mΩ Typ tranzystora: N/P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,9W ...
onsemi
FDMC8097AC
od PLN 10,58*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.